ABB - 3BHB006457R0001

TYPE DE DIODE : PUISSANCE ; DIODE DE ROUE LIBRE POUR IGCT ; TENSION DE CRÊTE INVERSÉE : 4 500 V ; TYPE ENCAPSULÉ : DISQUE DE 100 MM ; TENSION ÉLECTRIQUE : 2800 V ; PUISSANCE : 10 500 W ; COURANT ÉLECTRIQUE : 1120 A ; DIODE DE PUISSANCE POUR ROUE LIBRE IGCT. VRRM = 4 500 V ; VR=2,8KV ; IFAV M=1120A ; IFSM=23 000A ; VF/SI = 4,2 V/2,5 KA ; DIAMÈTRE MAXIMUM=100MM ; DIAMÈTRE DES CONTACTS=62,8MM ; HAUTEUR=26MM ; POIDS=750G ; MODÈLE : D1031SH45TS02